Tag: 3DEG

Kênh transistor không nhất thiết phải “nhồi” electron bằng tạp chất: AlGaN dùng polarization để tạo 3DEG

Kênh transistor không nhất thiết phải “nhồi” electron bằng tạp ch...

phult Tháng 9 8, 2026

Polarization doping không phải cơ chế mới, nhưng NTT vừa chứng minh nó có thể giải bài toán thiếu hạt tải trong AlN/AlGaN giàu nhô...