Tag: GaN
Microchip ra mắt bộ nguồn GaN chịu bức xạ 20 A cho vệ tinh
POL-05-20S-T chuyển đổi điện áp ngay gần tải, chịu tổng liều ion hóa 50 krad và đã có số lượng sản xuất. Đây là linh kiện chịu bức...
Microchip–Navitas hoàn thiện thiết kế nguồn 800V–6V cho rack AI
Thiết kế tham chiếu 20 kW chuyển trực tiếp điện một chiều 800V xuống 6V, tích hợp điều khiển số và bảo mật nhưng các chỉ số hiệu s...
Sau camera thông minh có thể là “pixel thông minh”: Sensor tương ...
Một diode GaN mới có thể đổi vai trò chỉ bằng điện áp: ở một chế độ nó đo ánh sáng, ở chế độ khác nó giữ dấu vết của các photon tr...
GaN đã thay đổi điện tử công suất: NbAlN mở thêm một nhánh vật li...
Một nhóm nghiên cứu tại Nhật Bản đã tạo được NbAlN ở pha wurtzite phân cực trên GaN, dù niobium vốn có xu hướng tạo nitride mang t...
