Samsung: HBM có thể chiếm gần 30% công suất wafer DRAM năm 2027
Dự báo mới cho thấy bộ nhớ phục vụ AI đang giành thêm năng lực sản xuất DRAM, nhưng con số 30% là tỷ trọng wafer dự kiến chứ không phải thị phần hay sản lượng bit.
Một lãnh đạo Samsung Electronics dự báo bộ nhớ băng thông cao, hay HBM, có thể chiếm gần 30% tổng công suất wafer DRAM của ngành trong năm 2027, tăng từ khoảng 20% hiện nay. Con số được Phó chủ tịch điều hành Kim Taewoo đưa ra ngày 29/9/2026 và được Reuters tường thuật. Đây là một dự báo của Samsung, không phải số liệu đã kiểm toán cho toàn ngành hay cam kết sản xuất cố định của ba nhà cung cấp lớn.
Ảnh: sản phẩm HBM4, Samsung Semiconductor.
Con số 30% thực sự đo điều gì?
Đơn vị được nhắc tới là tỷ trọng công suất wafer DRAM. Nói đơn giản, nó phản ánh phần năng lực xử lý tấm wafer tại các nhà máy DRAM được dành cho dòng sản phẩm HBM. Nó không đồng nghĩa HBM sẽ chiếm 30% số bit DRAM bán ra, 30% doanh thu bộ nhớ hay 30% số chip hoàn thiện trên thị trường.
Sự phân biệt này quan trọng vì HBM không chỉ là một chip DRAM thông thường đổi tên. Nhiều die DRAM được xếp chồng, nối theo chiều dọc và ghép với một đế logic hoặc gói đóng gói tiên tiến để tạo giao tiếp rất rộng với bộ tăng tốc AI. Hiệu suất, số die trên mỗi stack, công đoạn kiểm thử và đóng gói đều ảnh hưởng tới lượng sản phẩm hoàn thiện thu được từ cùng một lượng wafer đầu vào.
Reuters dẫn lời ông Kim cho biết HBM và DRAM tiêu chuẩn cạnh tranh cho cùng năng lực wafer. Khi nhà sản xuất chuyển thêm thiết bị và wafer sang HBM, phần dành cho DDR dùng trong máy chủ, PC hoặc thiết bị tiêu dùng có thể bị thu hẹp nếu công suất mới không tăng đủ nhanh. Tuy vậy, phát biểu không kèm phương pháp tính, mức công suất tuyệt đối hay phân bổ riêng của Samsung, SK hynix và Micron.
Vì sao AI kéo HBM lên nhanh như vậy?
GPU và bộ tăng tốc AI phải di chuyển khối lượng dữ liệu lớn giữa bộ xử lý và bộ nhớ. Nếu băng thông không theo kịp, các đơn vị tính toán có thể phải chờ dữ liệu dù năng lực phép toán còn dư. HBM giải bài toán bằng cách đặt nhiều lớp DRAM rất gần bộ xử lý và dùng giao tiếp rộng hơn nhiều so với mô-đun bộ nhớ hệ thống thông thường.
Trang sản phẩm HBM của Samsung mô tả kiến trúc xếp chồng dựa trên TSV, tức các đường dẫn xuyên silicon, nhằm phục vụ huấn luyện AI và điện toán hiệu năng cao. Lấy HBM4 làm ví dụ, Samsung công bố giao tiếp 2.048 chân I/O và băng thông tối đa 3.300 GB/giây cho một stack. Đây là thông số sản phẩm do hãng công bố; hiệu năng ứng dụng thực tế còn phụ thuộc bộ tăng tốc, hệ thống làm mát, phần mềm và cấu hình toàn máy.
Áp lực có thể lan sang DRAM thông thường
Nếu dự báo gần 30% trở thành hiện thực, tác động đáng chú ý nhất không nhất thiết là một con số thị phần HBM lớn hơn. Nó là việc các nhà sản xuất phải ưu tiên một loại sản phẩm phức tạp, giá trị cao cho trung tâm dữ liệu AI trong khi thị trường vẫn cần DDR cho máy chủ truyền thống, máy tính cá nhân và thiết bị khác.
Điều đó tạo ra rủi ro cung ứng, nhưng chưa cho phép kết luận giá DRAM tiêu dùng chắc chắn sẽ tăng. Giá còn phụ thuộc tồn kho, nhu cầu PC và điện thoại, sản lượng từ các nhà máy mới, hiệu suất chế tạo và chiến lược của từng hãng. Một tỷ trọng wafer cao hơn cũng có thể đi kèm năng suất tốt hơn hoặc công suất tổng lớn hơn, làm giảm mức độ thiếu hụt.
Không nên đọc dự báo như một kế hoạch sản xuất đã khóa
Thông tin ngày 29/9 chỉ đưa ra hai mốc gần 20% và gần 30%. Nó không cho biết mẫu số là công suất danh nghĩa hay công suất thực dùng, có tính wafer cho base die logic hay không, hoặc giả định về hiệu suất đóng gói. Cũng chưa có xác nhận đồng thời từ SK hynix và Micron rằng kế hoạch của họ khớp với dự báo ngành của Samsung.
Vì vậy, cách đọc thận trọng là xem đây như chỉ báo về hướng phân bổ nguồn lực: HBM đang từ một dòng DRAM chuyên biệt trở thành người dùng lớn của năng lực wafer. Để kiểm chứng xu hướng trong năm 2027, cần theo dõi công suất mới đi vào hoạt động, tỷ lệ đạt chuẩn của HBM4 và HBM4E, thời gian chứng nhận với khách hàng, cũng như sản lượng và giá hợp đồng của DDR thông thường.
Ý nghĩa lớn hơn với hệ thống AI
Cuộc cạnh tranh AI thường được mô tả bằng số GPU, nhưng dự báo này nhắc rằng bộ nhớ là một giới hạn vật lý ngang hàng với năng lực tính toán. Một cụm máy có nhiều bộ tăng tốc vẫn không đạt hiệu suất kỳ vọng nếu thiếu HBM đủ dung lượng và băng thông. Khi gần một phần ba công suất wafer DRAM có thể hướng tới HBM, cấu trúc của toàn thị trường bộ nhớ đang thay đổi theo nhu cầu AI, không chỉ một dòng sản phẩm cao cấp được bổ sung vào danh mục.
