Tag: Samsung
Transistor DRAM không thể nhỏ mãi: Memory tương lai có ...
Samsung đã trình diễn VS-DRAM 16 tầng với transistor GAA và capacitor nằm ngang, trong khi SK hynix thử 4F² Vertical Gate DRAM. Ha...
NAND đã xây “nhà chọc trời” hàng trăm tầng: DRAM có thể...
Samsung vừa đưa V-NAND vượt mốc 400 lớp, trong khi DRAM vẫn chủ yếu tăng mật độ bằng cách thu nhỏ cell trên mặt phẳng. Các roadmap...
