Tag: DRAM
DRAM 4F² của CXMT: Trung Quốc đang thu hẹp khoảng cách bộ nhớ với...
CXMT nêu kế hoạch đưa 4F² vào DDR5 RDIMM trước cuối năm 2026. Diện tích ô nhớ nhỏ hơn có thể tăng mật độ, nhưng còn phải chứng min...
Samsung: HBM có thể chiếm gần 30% công suất wafer DRAM năm 2027
Dự báo mới cho thấy bộ nhớ phục vụ AI đang giành thêm năng lực sản xuất DRAM, nhưng con số 30% là tỷ trọng wafer dự kiến chứ không...
High-NA EUV không chỉ dành cho CPU: DRAM tương lai cũng bắt đầu c...
Samsung nói sẽ đưa High-NA EUV của ASML vào sản xuất DRAM số lượng lớn từ năm 2028. Memory vốn đã dùng EUV nhiều năm, nhưng khi pi...
Transistor DRAM không thể nhỏ mãi: Memory tương lai có thể bắt đầ...
Samsung đã trình diễn VS-DRAM 16 tầng với transistor GAA và capacitor nằm ngang, trong khi SK hynix thử 4F² Vertical Gate DRAM. Ha...
NAND đã xây “nhà chọc trời” hàng trăm tầng: DRAM có thể là loại m...
Samsung vừa đưa V-NAND vượt mốc 400 lớp, trong khi DRAM vẫn chủ yếu tăng mật độ bằng cách thu nhỏ cell trên mặt phẳng. Các roadmap...
